发布日期：2026-06-12 05:53 点击次数：179
快科技6月11日音尘，据报谈，SK海力士已完成375层NAND闪存的量产考据，正将清州M15工场的原产线从176/238/321层升级改良为375层居品产线，场合于2026年底前杀青量产。
该居品当先估计为400层架构，受超高层数堆叠的量产工艺胁制，最终被动转念为375层。业内东谈主士清楚，后续将递次推出480层、604层居品。
为弥补层数折损，375层居品初度在字线金属栅极中以钼（Mo）部分替代传统钨（W）材料。
这是由于超高层堆叠导致钨基字线电阻激增、信号延伸，AG·真人(官方)网址且扞拒接济层占用堆叠空间。钼以更低电阻率和无扞拒层上风，同步晋升NAND闪存的读写性能与存储密度。
钼先行者体常温下为固态，对制程管控条件极高。SK海力士评估了泛林集团和东京电子的建设后，最终采选后者的炉式千里积系统。
2026FIFA世界杯下单平台官网该决策一次可不休约100片晶圆，在建设本钱、局势占用及物料破钞上更具上风。
需要指出的是，三星电子已于2024年4月量产第九代286层V-NAND时，就将钼期骗于金属布线措施。
三星估计中的第十代400层以上NAND亦将于2026年下半年推出，钼材料的期骗范围正握续扩大。
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